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 NECエレクトロニクスは08年度末をめどに、100%出資子会社のNEC山形(山形県鶴岡市)でチップ上の回路線幅40ナノメートルプロセス技術を採用した先端半導体を生産する。07年度に100億円を投じて直径300ミリメートルウエハーラインに、オランダのASML製のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置「1700i」などを追加。


同40ナノメートル品の月産能力を2000枚にした。

 回路線幅40ナノメートル品はNECエレと東芝が共同開発した同45ナノメートルの先端プロセスを一回り縮小したもの。

 デジタル家電や携帯機器向けのDRAM内蔵システムLSIに採用することで、SRAMや外付けDRAMに比べ消費電力を半減できる。




NECエレクトロニクス(株) - Yahoo!企業情報 - Yahoo!ファイナンス

(引用 yahooニュース)


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2007年11月20日 未分類 トラックバック:0 コメント:0

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